| 8695912 9216 5224 943 1е точки к-рой имеют один и тот же потенциал. Напр., поверхность проводника в электростатике - Э. п. В силовом поле силовыв линии нормальны (перпендикулярны) к Э. п.
ЭKBЫ (лат. Aequi), древнеиталийские племена, видимо, оскского происхождения. В сер. 1-го тыс. до н. э. расселялись в долине р. Анио. С нач. 5 в. до н. э. вместе с сабинами, волъсками и герниками вели ожесточённую борьбу с римлянами; окончательно были покорены ими в 304 до н. э.
ЭКГОФ, Э к х о ф (Ekhof, Eckhof) Конрад (12.8.1720, Гамбург,- 16.6.1778, Гота), немецкий актёр и театр, деятель. На сцене с 1740 (Гамбург, труппа И. Шёнемана). Работал в труппах Г. Коха, К. Аккермана, в 1767-68 в Гамбургском нац. театре. Любимый актёр и единомышленник Г. Э. Лессинга, первый интерпретатор просвет ительской бурж. драмы на нем. сцене. Разрабатывал теорию сценич. мастерства, был превосходным педагогом (его ученик Ф. Л. Шредер-крупнейший реформатор нем. сцены), обобщал опыт актёрского творчества (создал в Шверине т. н. Академию шёнемановского об-ва, 1753), был критиком, переводчиком, историком нем. театра. Прославился в ролях: Барнвел ("Лондонский купец" Лилло), Одоардо, Маллефонт, Тельгейм ("Эмилия Галотти", "Мисс Сара Сампсон", "Минна фон Барнхельм" Лессинга).
Лит.: Троицкий 3., Карл Зейдельман и формирование сценического реализма в Германии, М.- Л., 1940. Э
ЭКДИЗОНЫ (отгреч. ekdysis - линька), стероидные гормоны членистоногих; стимулируют линьку и метаморфоз. У различных групп членистоногих гормонами линьки служат различные Э., но чаще всего - a-Э. и (или) экдистерон. Строение a-Э., впервые выделенного в 1954 А. Бутенандтом из коконов шелковичного червя, доказано в 1965 химическими и рентгенографическими методами. Э.- твёрдые, оптически активные вещества, слабо растворимые в воде и хорошо растворимые в полярных органических растворителях. Содержат 27 или
К. Экгоф,
[2929-13.jpg]
28 атомов углерода. Для большинства Э. характерны четыре структурных признака: цис-сочленение колец А и В стероидного скелета, цис-диольная группировка в кольце А, группировки а, b-ненасыщенного кетона в кольце В и, по крайней мере, одна гидроксильная группа в боковой цепи стерина (обычно их 2 или 3). У насекомых Э. вырабатываются переднегрудными (проторакальными) железами, у ракообразных - Y-opгaнами, деятельность к-рых усиливается к моменту сбрасывания панциря. Под влиянием Э. эпидермис выделяет линочный секрет, что приводит к образованию новой кутикулы и её затвердению. Под действием Э. начинается "куколочная линька", сопровождающаяся превращением личинки в куколку и, в первую очередь, образованием ложнококона (пупария). Это свойство Э. используется в Японии при производстве натурального шёлка для ускорения образования коконов шелковичного червя и их ручной сортировки. Менее перспективно пока применение Э. в качестве инсектицидов гормонального действия. Механизм действия Э. на насекомых заключается в том, что они вызывают образование вздутий (пуфов) в хромосомах; последовательность вздутий коррелирует с последовательной активацией генов, участвующих в передаче генетич. информации. Таким путём Э. вызывают, напр., активизацию фермента диоксифенилаланиндекарбоксилазы, необходимого для синтеза веществ, ответственных за склеротинизацию кутикулы насекомых. Э. индуцируют биосинтез белка, активируя биосинтез информационной РНК. В целом сбалансированное действие Э. и ювенильных гормонов регулирует последовательное развитие насекомых. Содержание Э. у членистоногих очень мало (0,1-1,0 мкг/г). Э. (амаростерон, циастерон и др.) обнаружены и в растениях (содержание от 0,01 до 1-2% ), но их физиологич. функция пока неясна. Фитоэкдизоны содержат 27,28 или 29 атомов углерода. Предположение, что Э. растений играют защитную роль по отношению к растительноядным насекомым, экспериментально не подтвердилось. Примечательно, что нек-рые Э. стимулируют рост растений (гороха, риса), тогда как гормоны растений гиббереллины вызывают линьку у саранчи. Лит.: A х р е м А. А., Левина И. С., Титов Ю. А., Экдизоны - стероидные гормоны насекомых, Минск, 1973; X е ф тман Э., Биохимия стероидов, пер. с англ., M., 1972. Э. П. Серебряков.
ЭКСИТОН (от лат
ЭКСИТОН (от лат. excito - возбуждаю), квазичастица, представляющая собой электронное возбуждение в диэлектрике или полупроводнике, мигрирующее по кристаллу и не связанное с переносом электрич. заряда и массы. Представление об Э. было введено в 1931 Я. И. Френкелем. Он объяснял отсутствие фотопроводимости у диэлектриков при поглощении света тем, что поглощённая энергия расходуется не на создание носителей тока, а на образование Э. В молекулярных кристаллах Э. представляет собой элементарное возбуждение электронной системы отдельной молекулы, к-рое благодаря межмолекулярным взаимодействиям распространяется по кристаллу в виде волны (экситон Френкеля). Э. Френкеля проявляются в спектрах поглощения и излучения молекулярных кристаллов (см. Спектроскопия кристаллов). Если в элементарной ячейке молекулярного кристалла содержится неск. молекул, то межмолекулярное взаимодействие приводит к расщеплению экситонных линий. Этот эффект, наз. давыдовским расщеплением, связан с возможностью перехода Э. Френкеля из одной группы молекул в другую в пределах элементарной ячейки. Давыдовское расщепление экспериментально обнаружено в ряде молекулярных кристаллов (нафталине, антрацене, бензоле и др.).
В полупроводниках Э. представляет собой водородоподобное связанное состояние электрона проводимости и дырки (экситон Ванье - Мотта). Энергии связи Е* и эффективные радиусы а* Э. Ванье-Мотта можно оценить по формулам H. Бора для атома водорода, учитывая, что эффективные массы электронов проводимости тЭи дырок mд отличаются от массы свободного электрона та я что кулоновское взаимодействие электрона и дырки в кристалле ослаблено диэлектрической проницаемостью среды e:
[2931-1.jpg]
Здесь
[2931-2.jpg]
- Планка постоянная, е - заряд электрона. Формулы (1) не учитывают влияния сложной зонной структуры кристалла, взаимодействия электронов и дырок с фононами. Однако учёт этих факторов не меняет порядок величин Е* и а *. Для Ge, Si и полупроводников типов AIIIBV и AII BVI т * ~ 0,1 то, e ~ 10, что приводит к значениям Е* ~ 10-2эв, и а * ~ 10-6 см. T. о., энергии связи Э. Ванье - Мотта во много раз меньше, чем энергия связи электрона с протоном в атоме водорода, а радиусы Э. во много раз больше межатомных расстояний в кристалле. Большие значения а * означают, что Э. в полупроводниковых кристаллах - макроскопическое образование, причём структура кристалла определяет лишь параметры т * и Е*. Поэтому Э. Ванье - Мотта можно рассматривать как квазиатом, движущийся в вакууме. Искажения структуры кристалла, вносимые Э. или даже большим числом Э., пренебрежимо мало. В кристаллах галогенидов щелочных металлов и инертных газов Е* ~ 0,1-1 эв, а* ~ 10-7- 10-8см и образование Э. сопровождается деформацией элементарной ячейки.
Э. Ванье-Мотта отчётливо проявляются в спектрах поглощения полупроводников в виде узких линий, сдвинутых на величину Е* ниже края оптич. поглощения. Водородоподобный спектр Э. Ванье - Мотта впервые наблюдался в спектре поглощения СизО, в дальнейшем в др. полупроводниках. Э. проявляются также в спектрах люминесценции, в фотопроводимости, в Штарка эффекте и Зеемана эффекте. Время жизни Э. невелико: электрон и дырка, составляющие Э., могут рекомбинировать с излучением фотона, напр, в Ge время жизни Э. порядка 10-5сек. Э. может распадаться при столкновении с дефектами решётки.
При взаимодействии Э. с фотонами, имеющими частоты w = Е*/h, возникают новые квазичастицы - смешанные экситон-фотонные состояния, наз. поляритонами. Свойства поляритонов (напр., их закон дисперсии) существенно отличаются от свойств как Э., так и фотонов. Поляритоны играют существ, роль в процессах переноса энергии электронного возбуждения в кристалле, они обусловливают особенности оптич. спектров полупроводников в области экситонных полос и др.
При малых концентрациях Э. ведут себя в кристалле подобно газу квазичастиц. При больших концентрациях становится существенным их взаимодействие. Возможно образование связанного состояния двух Э.- экситонной молекулы (б и э к с и т о н а). Однако, в отличие от молекулы водорода, энергия диссоциации биэкситона значительно меньше, чем его энергия связи (эффективные массы электронов и дырок в полупроводниках одного порядка).
При повышении концентрации Э. расстояние между ними может стать порядка их радиуса, что приводит к разрушению Э. Это может сопровождаться возникновением "капель" электронно-дырочной плазмы (см. Электронно-дырочная жидкость). Образование электронно-дырочных капель в таких полупроводниках, как Ge и Si, сказывается
Инфракрасная фотография электронно -дырочной капли в Ge: 1 - образец германия; 2 - электронно-дырочная капля.
в появлении новой широкой линии люминесценции, сдвинутой в сторону уменьшения энергии фотона. Электронно-дырочные капли обладают рядом интересных свойств: высокой плотностью электронов и дырок при малой (средней по объёму) концентрации, большой подвижностью в неоднор |
