| 8695912 9216 5224 943 1ри комнатной темп-ре в жидком аммиаке. При избытке NaNH2 основным продуктом является a,a'-диаминопиридин. Если оба альфа-положения в цикле заняты, аминогруппа вступает в y-положение. Используется в препаративной органич. химии; открыта A. E. Чичибабиным в 1914.
Ч. р. наз. также конденсацию альдегидов или кетонов с аммиаком, приводящую к образованию замещённых пиридинов, напр.:
[2911-39.jpg]
Реакцию проводят в газовой фазе при 300-350 0C с различными катализаторами типа Al2O3 или в автоклаве при 200- 250 0C в присутствии концентрированного водного аммиака. Детально реакция исследовалась A. E. Чичибабиным, начиная с 1905; единичные синтезы осуществлены А. Байером (1870) и П. Вааге (1882).
2916.htm
ШAPOBЫE ФУНКЦИИ, однородные функции иn степени n от прямоугольных координат x, у, z, удовлетворяющие уравнению Лапласа:
[2915-1.jpg]
Существуют 2n+1 линейно-независимых однородных многочленов от х, у, z целой положительной степени п. являющихся Ш. ф.; их линейная комбинация представляет общий вид такого многочлена степени п. Так, напр.,
[2915-2.jpg]
где а, b, с, d, e - произвольные постоянные, представляют общий вид однородных многочленов степеней 0, 1, 2, являющихся Ш. ф. Если вместо прямоугольных координат х, у, z ввести сферические координаты r, Q, y, то Ш. ф. выражаются через сферические функции Yn(Q, y) по формуле
un = rn Yn (Q, y).
Каждой Ш. ф. unстепени n соответствует Ш. ф. r-2n-1 un степени -n-1.
Ш. ф. применяются при нахождении общего решения уравнения Лапласа и при решении задач математич. физики для областей, ограниченных сферич, поверхностями.
Лит. см. при статье Сферические функции.
2920.htm
ШИКИМОВАЯ КИСЛОТА, важнейший промежуточный продукт обмена веществ у микроорганизмов и высших растений. Бесцветные кристаллы с tпл 184 0C, хорошо растворимые в воде. Биохим. роль Ш. к. выяснена в 1955-58 амер. микробиологом Б. Дейвисом при работе с мутантами кишечной палочки. Образование Ш. к. связано с обменом углеводов: её ближайший предшественник - 7-фосфат 3-дезоксиарабиногептулозы. Ш. к. участвует в биосинтезе ароматич. кислот (в т. ч. аминокислот фенилаланина, тирозина и триптофана), фенольных соединений (в т. ч. фенольных алкалоидов), кумаринов, лигнина, флавоноидных пигментов и др. вторичных метаболитов. Лит.: Запрометов M. H., Основы биохимии фенольных соединений, M., 1974; Биохимия растений, пер. с англ., M., 1968.
ШИКИН Иосиф Васильевич [26. 8(8. 9). 1906, с. Лычево, ныне Гаврилово-Посадского р-на Ивановской обл., - 30. 7. 1973, Москва], советский воен., парт, деятель, генерал-полковник (1945). Чл. КПСС с 1927. Род. в крест, семье, был рабочим. Окончил Комвуз им. H. К. Крупской (1931), был секретарём райкома партии. С 1939 в Красной Армии. Окончил курсы высшего политсостава (1939). С нояб. 1939 нач. политотдела Воен.-электротехнич. академии, с авг. 1940 - зам. нач. Управления политпропаганды Ленингр. воен. округа. В Великую Отечеств, войну 1941-45 - чл. Воен. совета Сев. фронта, нач. политуправления Ленингр. и Волховского фронтов. С июля 1942 зам. нач. Гл. политич. управления Красной Армии, с авг. 1945 - чл. Воен. совета Гл. командования сов. войсками на Д. Востоке.
[2920-1.jpg]
В 1946-49 нач. Гл. политич. управления Вооруж. Сил СССР, в 1949-50 нач. Военно-политич. академии им. В. И. Ленина. С марта 1950 в аппарате ЦК КПСС, в 1961-62 посол СССР в Албании. С кон. 1962 1-й зам. пред. Комитета парт.-гос. контроля ЦК КПСС и Сов. Мин. СССР, затем Комитета нар. контроля СССР. С 19S6 чл. Центральной ревизионной комиссии КПСС. Деп. Верховного Совета СССР 2-го созыва. Награждён 2 орденами Ленина, орденом Октябрьской Революции, 2 орденами Красного Знамени, орденами Суворова 1-й степени, Трудового Красного Знамени, Красной Звезды и медалями.
2922.htm
ШМИДТА КОРРЕКЦИОННАЯ ПЛАСТИНКА, оптич. деталь Шмидта телескопа, предназначенная для компенсации сферич. аберрации гл. зеркала телескопа, имеющего сферич. форму. Ш. к. п. устанавливается в центре кривизны гл. зеркала и представляет собой стеклянную пластинку, одна поверхность к-рой плоская, а другая имеет сложный профиль, описываемый уравнением
[2922-1.jpg]
где А - относительное отверстие, D - диаметр гл. зеркала, n - показатель преломления материала пластинки, а - свободный параметр, от выбора к-рого зависит хроматизм пластинки (минимальный хроматизм достигается при а = 1,5). Ш. к. п. вносит в оптич. систему сферич. аберрацию, равную по величине, но противоположную по знаку сферич. аберрации гл. зеркала, делая её т. о. стигматичной (см. Геометрическая оптика). H. H. Михельсон.
2924.htm
ШОТКИ ЭФФЕКТ, уменьшение работы выхода электронов из твёрдых тел под действием внешнего ускоряющего их электрич. поля. Ш. э. проявляется в росте тока насыщения термоэлектронной эмиссии, в уменьшении энергии поверхностной ионизации (см. Ионная эмиссия) и в сдвиге порога фотоэлектронной эмиссии в сторону больших длин волн лямбда. Ш. э. возникает в полях E, достаточных для рассасывания пространств, заряда у поверхности эмиттера (E ~ 10- -100 вхсм-1), и существен до полей E ~ 106вхсм-1. При E > 107 вхсм-1 начинает преобладать просачивание электронов сквозь потенциальный барьер на границе тела (туннельная эмиссия).
Классич. теория Ш. э. для металлов создана нем. учёным В. Шотки (1914). Из-за большой электропроводности металла силовые линии электрич. поля перпендикулярны его поверхности. Поэтому электрон с зарядом -е, находящийся на расстоянии х > а (а - межатомное расстояние) от поверхности, взаимодействует с ней так, как если бы он индуцировал в металле на глубине х своё "электрическое изображение", т. е. заряд + е. Сила их притяжения:
[2923-1.jpg]
(Е0 - диэлектрическая проницаемость вакуума), потенциал этой силы фэ.и. = - e/16пЕ0х. Внешнее электрич. поле уменьшает фэ.и. на величину E · х(см.рис.); на границе металл - вакуум появляется потенциальный барьер с вершиной при
[2923-2.jpg]
хм" 8А. Уменьшение работы выхода Ф за счёт действия поля равно: дельта Ф = е(еЕ/4пЕ0)1/2, напр, при E=105в*см-1 дельта Ф = 0,12 эв и хм=60А. В результате Ш. э. j экспоненциально возрастает от
[2923-3.jpg]
Фэ.и. - потенциальная энергия электрона в поле силы электрического изображения; еЕх - потенциальная энергия электрона во внешнем электрическом поле; Ф - потенциальная энергия электрона вблизи поверхности металла в присутствии внешнего электрического поля; Фм - работа выхода металла; дельта-Ф - уменьшение работы выхода под действием внешнего электрического поля; EF - уровень Ферми в металле; Хм - расстояние от вершины потенциального барьера до поверхности металла; штриховкой показаны заполненные электронные состояния в металле.
Болъцмана постоянная, а частотный порог фотоэмиссии hw0 сдвигается на величину:
[2923-4.jpg]
В случае, когда эмиттирующая поверхность неоднородна и на ней имеются "пятна" с различной работой выхода, над её поверхностью возникает электрич. поле "пятен". Это поле тормозит электроны, вылетающие из участков катода с меньшей, чем у соседних, работой выхода. Внешнее электрич. поле складывается с полем пятен и, возрастая, устраняет тормозящее действие последнего. Вследствие этого эмиссионный ток из неоднородного эмиттера растёт при увеличении E быстрее, чем в случае однородного эмиттера (аномальный Ш. э.).
Влияние электрич. поля на эмиссию электронов из полупроводников более сложно. Электрич. поле проникает в них на большую глубину (от сотен до десятков тысяч атомных слоев). Поэтому заряд, индуцированный эмиттированным электроном, расположен не на поверхности, а в слое толщиной порядка радиуса экранирования rэ. Для x > rэ, справедлива формула (1), но для полей E во много раз меньших, чем у металлов (Е~102 - 104в/см). Кроме того, внешнее электрич. поле, проникая в полупроводник, вызывает в нём перераспределение зарядов, что приводит к дополнительному уменьшению работы выхода. Обычно, однако, на поверхности полупроводников имеются поверхностные электронные состояния. При достаточной их плотности (~1013 см-2) находящиеся в них электроны экранируют внешнее поле. В этом случае (если заполнение и опустошение поверхностных состояний под действием поля вылетающего электрона происходит достаточно быстро) Ш. э. такой же, как и в металлах. Ш. э. имеет место и при протекании тока через контакт металл - полупроводник (см. Шотки барьер, Шотки диод).
Лит.: Schottky W., "Physikalische Zeitschrift", 1914, Bd 15, S. 872; Добрец о в Л. H., Гомоюнова M. В., Эмиссионная электроника, M., 1966; Ненакаливаемые катоды, M., 1974. T. M. Лифшиц.
2926.htm
ШРЕДЕРА УРАВНЕНИЕ, математич. соотношение, выражающее связь между растворимостью кристаллич. тела xTпри темп-ре T (в К), его теплотой плавления дhnл (в кал/моль) и темп-рой плавления Tnл:
[2923-5.jpg]
где R - газовая постоянная; дhnлпринимается постоянной в интервале Тпл-T. Строгое применение Ш. у. ограничено идеальными растворами. Построив |
