| 8695912 9216 5224 943 1ионами галогена (напр., С1), захватившими дырку (т. е. отдавшими один электрон), занимающими положение двух нормальных ионов (W центр) или положение одного иона (Н-центр), к-рые могут находиться в сочетании с вакансией соседнего катиона (Уг-центр) или двух катионов (Vt-центр).
Примесные Ц. р.- чужеродные атомы или ионы, внедрённые в кристалл, стекло или др. основу. В кристаллы для образования примесных Ц. о. примесь вводится в расплав или раствор в процессе кристаллизации или же путём диффузии в готовый кристалл. Примесные атомы и ионы так же, как и др. точечные дефекты, могут захватывать электрон или дырку, в результате чего изменяют полосу поглощения кристалла и его окраску. Наведённые примесные Ц. о. возникают в кристаллах и стёклах, содержащих примеси, при фотохимич. окрашивании благодаря изменению заряда примеси. В большинстве случаев ионы примеси, входящие в наведённые Ц. о., имеют валентность, отличную от ионов основы. Так, напр., в кристалле КС1 с примесью Т1 примесный Ц. о.- ион Т1+, а наведённые примесные Ц. о.- атомы Тl и ионы Т12+; в рубине (А12О3 с примесью Сr) примесный Ц. о.- ион Cr3+, наведённые примесные Ц. о.- ионы Сr2+ и Сr4+. Все наведённые Ц. о. могут быть разрушены оптически или термически.
В кристаллах с примесями обнаружены также Ц. о. смешанного типа: FA-центры и Z-центры. Первые представляют собой F-центры, расположенные рядом с ионом примеси (активатором), вторые (в щёлочно-галогенных кристаллах) - F-центры, связанные с вакансиями и с двухвалентными примесными ионами (Са, Sr). Наблюдаются также сложные примесные Ц. о., состоящие из двух или более частиц примеси одного или разных сортов. Напр., в щёлочно-галогенных кристаллах обнаружены примесные Ц. о., связанные с внедрением ионов (О-, О2-, S2-, S3-, S02-, РО2-, СО2-- и др.). Ц. о. под влиянием внешних воздействий (свет, тепло, электрич. поле) могут коагулировать, образуя т. н. коллоидные центры.
Ц. о., будучи центрами захвата электронов и дырок, могут служить центрами люминесценции (см. Центры свечения). Наиболее эффективным методом исследования Ц. о. является электронный парамагнитный резонанс в сочетании со спектральными исследованиями, позволяющий расшифровать строение Ц. о.
Окрашивание и обесцвечивание кристаллов и стёкол широко применяется в научном эксперименте и в технике. Оно используется в дозиметрии ядерных излучений, в вычислительной технике (устройства для хранения информации), в устройствах, где применяются фотохромные материалы (солнцезащитные стёкла, темнеющие под действием солнечного света и просветляющиеся в темноте) и др. В археологии и геологии по исследованиям Ц. о., возникших под действием излучения радиоактивных элементов, находящихся в толще Земли, определяют возраст глиняных изделий и минералов (см. Геохронология). Окраска ряда драгоценных камней и самоцветов связана с Ц. о. (аметист, цитрин, алмаз, амазонит и др.). Нек-рые кристаллы и стёкла с примесными Ц. о. используются в качестве активной среды в лазерах (рубин, стекло с примесью Nb и др.; см. Квантовая электроника, Лазер).
Лит.: Пекар С. И., Исследования по электронной теории кристаллов, М.- Л., 1951; К а ц М. Л., Люминесценция и электронно-дырочные процессы в фотохимически окрашенных кристаллах щёлочно-галоидных соединений, Саратов, 1960; Physics of color centers, N. Y. -London, 1968; Т о w n-s e n d P. D., К е l l у J. C., Colour centers and imperfections in insulators and semiconductors, L., 1973; МарфунинА. С., Спектроскопия, люминесценция и радиационные центры в минералах, М., 1975.
3. Л. Моргенщтерн.
ЦЕНТРЫ ПРОИСХОЖДЕНИЯ КУЛЬТУРНЫХ РАСТЕНИИ, географич. центры генетич. разнообразия культурных растений. Учение о Ц. п. к. р. возникло в связи с потребностью в исходном материале для селекции и улучшения сортов культурных растений. В основу его легла идея Ч. Дарвина ("Происхождение видов", гл. 12, 1859) о существовании географич. центров происхождения биол. видов. В 1883 А. Декандолъ опубликовал труд, в к-ром установил географич. области начального происхождения главнейших культурных растений. Однако эти области были приурочены к целым континентам или к др. также достаточно обширным территориям. В течение полувека после выхода книги Декандоля познания в области происхождения культурных растений значительно расширились; вышли монографии, посвящённые культурным растениям различных стран, а также отдельным растениям. Наиболее планомерно эту проблему разрабатывал в 1926-39 Н. И. Вавилов, стремившийся поставить генетику и селекцию на службу нар. х-ва СССР. На основании материалов о мировых растит, ресурсах (коллекция составляла ок. 250 000 образцов), собранных большим коллективом сов. ботаников (в т. ч. и им самим) в многочисл. экспедициях, он выделял 7 осн. географич. Ц. п. к. р. (см. также карту).
1. Южноазиатский тропический центр (ок. 33% от общего числа видов культурных растений). Родина риса, сах. тростника, множества тропич. и овощных культур.
2. Восточноазиатский центр (20% культурных растений). Родина сои, различных видов проса, овощных и плодовых культур.
3. Юго-Западноазиатский центр (4% культурных растений). Важнейшая область происхождения видов возделываемых в Европе культур -хлебных злаков, бобовых, плодовых культур и винограда.
4. Средиземноморский центр (примерно 11% видов культурных растений). Родина маслины, рожкового дерева, множества кормовых и овощных культур.
5. Эфиопский центр (ок. 4% культурных растений). Характеризуется рядом эндемичных видов и даже родов -хлебный злак тефф, масличное растение нуг, особый вид банана, кофейное дерево и др. Характерно наличие оригинальных культурных эндемичных видов и подвидов пшеницы и ячменя.
6. Центральноамериканский центр. Отсюда берут начало ок. 90 пищевых, технических и лекарств. видов растений, в т. ч. кукуруза, длинноволокнистые виды хлопчатника, ряд видов фасоли, тыквы, какао, мн. виды плодовых.
7. Андийский центр. Родина мн. видов .клубненосных растений. Прежде всего культурных видов картофеля, оки, улыоко, анью, а также хинного дерева, кокаинового куста и др.
Нек-рые растения введены в прошлом в культуру и вне этих осн. центров, но число таких растений невелико. Если ранее считалось, что осн. очаги древних земледельческих культур - широкие долины Тигра, Евфрата, Ганга, Нила и др. крупных рек, то Вавилов показал, что почти все культурные растения появились в горных районах тропиков, субтропиков и умеренного пояса. Осн. гео-графич. центры начального введения в культуру большинства возделываемых растений связаны не только с флористич. богатством, но и с древнейшими цивилизациями. Южноазиатский тропич. центр связан с высокой др.-индийской и индокитайской культурами; Среднеазиатский - с этрусской, эллинской и египетской культурами, насчитывающими ок. 6 тыс. лет, и т. п. Таким образом, решающую роль в использовании дикой флоры сыграли качественный состав флоры, наличие развитой земледельческой культуры и соответственно больших населённых массивов.
Многочисл. раскопки археологов в 60-70-е гг. подтвердили теоретич. представления Вавилова о центрах и очагах происхождения культурных растений. Мн. исследователи, в т. ч. сов. ботаники П. М. Жуковский, Е. Н. Синская, А. И. Купцов, продолжая работы Вавилова, внесли в эти представления свои коррективы. Так, тропич. Индию и Индокитай с Индонезией рассматривают как 2 самостоятельных центра, основой Восточноазиатского центра считают бассейн Хуанхэ, а не Янцзы, куда китайцы как народ-земледелец проникли позднее. Франц. исследователи школы О. Швалье установили центр древнего земледелия в Зап. Судане.
Лит.: Вавилов Н. И., Центры происхождения культурных растений, Л., 1926; его же, Учение о происхождении культурных растений после Дарвина, Избр. труды, т. 5, М.- Л., 1965; Синская Е. Н., Историческая география культурной флоры (на заре земледелия), Л., 1969; Жуковский П. М., Мировой генофонд растений для селекции, Л., 1970; Купцов А. И., Введение в географию культурных растений, М., 1975; Brucher Н., Gibt es Genzentren, "Naturwissenschaften", 1969, Jg- 59, H. 2. Д. В. Тер-Аванесян.
ЦЕНТРЫ СВЕЧЕНИЯ, центры люминесценции, дефекты кристал-лич. решётки, обусловливающие свечение люминофора (см. Люминесценция). В кристаллофосфорах Ц. с. могут быть обусловлены структурными дефектами кристаллич. решётки (катионные и анионные вакансии, междуузельные атомы и ионы)- собственные Ц. с., и активаторами (специально вводимыми атомами и ионами)- примесные Ц. с. Простой Ц. с. представляет собой точечный структурный дефект или одиночный атом (ион) активатора, сложный - пары дефектов или атомов активатора (часто разнородных), а также их агрегаты. В люминесцентных стёклах Ц. с. примесные, они создаются при изготовлении стёкол добавлением активатора в шихту.
Основные характеристики Ц. с.-спектры поглощения и испускания. Спектр поглощения, как правило, находится в области прозрачности кристалла и поэтому Ц. с. часто являются и центрами окраски. Однако не все центры окраски люминесцируют; с другой стороны, если поглощение Ц. с. находится в области собственного поглощения кристалла, то он будет л |
