БЭС:
Большой
Советский
Энциклопедический
Словарь

Термины:

ТУРБОХОД, судно, приводимое в движение паровой или газовой турбиной.
УБИЙСТВО, в уголовном праве преступление.
УЗБЕКСКИЙ ЯЗЫК, язык узбеков.
УПСАЛА (Uppsala), город в Швеции.
ФОРМООБРАЗОВАНИЕ, образование грамматич. форм слова.
ФОТОТАКСИС (от фото... и греч. taxis - расположение).
ФУРКАЦИЯ (от позднелат. furcatus-разделённый).
ЦЕЛАЯ ЧАСТЬ ЧИСЛА, см. Дробная и целая части числа.
"ТЕЛЕВИДЕНИЕ И РАДИОВЕЩАНИЕ", ежемесячный литературно-критич. и теоретич. иллюстрированный журнал.
ЭЙРИ ФУНКЦИИ, функции Ai(z) и Bi(z).


Фирмы: адреса, телефоны и уставные фонды - справочник предприятий оао в экономике.

Большая Советская Энциклопедия - энциклопедический словарь:А-Б В-Г Д-Ж З-К К-Л М-Н О-П Р-С Т-Х Ц-Я

8695912921652249431порога Ф. э. металлов в видимую область спектра достигают, покрывая чистую поверхность металла моноатомным слоем электроположит. (см. Ионизация) атомов или молекул (Cs, Rb, Cs2O), образующих на поверхности дипольный электрич. слой. Напр., слой Cs снижает ф и соответственно сдвигает порог Ф. э.: для W-от5,05до 1,7 эв, для Ag - от 4,62 до 1,65 эв, для Си - от 4,52 до 1,55 эв, для Ni - от 4,74 до 1,42эв.

Ф. э. из полупроводников и диэлектриков. В полупроводниках и диэлектриках сильное поглощение электромагнитного излучения начинается от энергий фотонов hw, равных

срооство к электрону, т. е. высота потенциального барьера для электронов проводимости (рис., б). В несильно легированных полупроводниках электронов проводимости мало, поэтому здесь, в отличие от металлов, рассеяние энергии фотоэлектронов на электронах проводимости роли не играет. В этих материалах фотоэлектрон теряет энергию при взаимодействии с электронами валентной зоны (ударная ионизация) или с тепловыми колебаниями кристаллической решётки (рождение фононов). Скорость рассеяния энергии и глубина, из к-рой фотоэлектроны могут выйти в вакуум,

дает электронно-дырочную пару. Длина пробега на рассеяние энергии в таком акте (1-2нм) во много раз меньше глубины проникновения излучения в кристалл (0,1-1 мкм). Т. о., в этом случае подавляющая часть фотоэлектронов по пути к поверхности теряет энергию и не выходит в вакуум. Такая картина имеет

и даже на относительно большом расстоянии от порога (при hw = hw +1 эв) всё ещё не превышает 10-4 электрон/фо-

оптич. фонона (10-2 эв), то фотоэлектроны теряют энергию при рождении оптич. фононов. При таком механизме потерь энергия фотоэлектронов рассеивается в полупроводниках на длине пробега всего 10-30 нм. Поэтому, если снизить x полупроводника, напр. от 4 до 1 эв, Ф. э. вблизи порога остаётся малой. В кристаллах щёлочно-галоидных соединений длина пробега больше 50-100 нм, еф невелико, поэтому У таких кристаллов резко возрастает от самого порога Ф. э. и достигает высоких значений. Так,

Y= 0,1 электрон/фотон и практически не изменяется при увеличении hw.

Применение. Из-за больших de порог Ф. э. для щёлочно-галоидных кристаллов лежит в ультрафиолетовой области спектра, для к-рой они (в виде тонкой плёнки на проводящей подложке) являются хорошими фотокатодами. Для большинства технич. применений важны также материалы, обладающие высоким У для видимого и ближнего инфракрасного

распространены (и технически хорошо освоены) в качестве фотокатодов полупроводниковые материалы на основе элементов I и V групп периодич. системы элементов, часто в сочетании с кислородом

стигает величины ~0,1 электрон/фотон.

Усовершенствование техники очистки поверхностей полупроводников в сверхвысоком вакууме позволило резко снизить еф полупроводников типа A1II Bv и Si р-типа до величины с одновременным созданием в тонком приповерхностном

слое полупроводника сильного внутр. электрич. поля, ускоряющего фотоэлектроны. При этом работа выхода а высота поверхностного потенциального барьера x. ниже уровня дна зоны проводимости в объёме кристалла. В результате обеспечивается выход в вакуум значит. числа термализованных (имеющих тепловые энергии) электронов из большой глубины порядка диффузионной длины неосновных носителей заряда (~ 10-4 см). Фотокатоды такого типа наз. фотокатодами с отрицательным электронным сродством (рис., в). Они обладают самым высоким квантовым выходом в ближней инфракрасной области спектра, достигающим 0,09 электрон/ фотон при X = 1,06 мкм.

Ф. э. широко используется для исследования энергетич. структуры веществ, для химич. анализа {фотоэлектронная спектроскопия), в измерит. аппаратуре, в звуковоспроизводящей киноаппаратуре и в приборах автоматики {фотоэлементы, фотоэлектронные умножители), в передающих телевизионных трубках (супериконоскоп, суперортикон), в инфракрасной технике (электроннооптический преобразователь) и в др. приборах, предназначенных для регистрации излучений рентгеновского, ультрафиолетового, видимого и ближнего инфракрасного диапазонов длин волн.

Лит.: Соболева Н. А., Фотоэлектронные приборы, М., 1965; Сомме р А., Фотоэмиссионные материалы, пер. с англ., М., 1973; Соболева Н. А., Новый класс электронных эмиттеров, "Успехи физических наук", 1973, т. 111, в. 2, с. 331 - 53; Heнакаливаемые катоды, М., 1974.

Т. М. Лифшиц.

ФОТОЭЛЕКТРОННЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ (ФЭУ), электровакуумный прибор, в к-ром поток электронов, эмитируемый фотокатодом под действием оптич. излучения (фототок), усиливается в умножит. системе в результате вторичной электронной эмиссии; ток в цепи анода (коллектора вторичных электронов) значительно превышает первонач. фототок (обычно в 105 раз и выше). Впервые был предложен и разработан Л. А. Кубецким в 1930-34.

Наиболее распространены ФЭУ, в к-рых усиление электронного потока осуществляется при помощи системы дискретных динодов - электродов корытообразной, коробчатой или жалюзийной формы с линейным (см. рис.) либо (реже) круговым расположением, обладающих коэфф. вторичной эмиссии с> 1. В таких ФЭУ для ускорения и фокусировки электронов катодной камере (собирающей электроны, вылетевшие с фотокатода, в пучок и направляющей этот пучок на вход динодной системы), динодам и аноду сообщают определ. потенциалы относительно фотокатода при помощи высоковольтного источника (напряжением 600-3000 в). Кроме электро-статич. фокусировки, в ФЭУ иногда применяют магнитную фокусировку и фокусировку в скрещённых электрич. и магнитном полях.

Существуют также ФЭУ с умножит. системой, представляющей собой непрерывный (распределённый) ди-нод - одноканальный, в виде трубки (канала) с активным (с>1) слоем на её внутр. поверхности, обладающим распределённым электрич. сопротивлением, либо многоканальный, выполненный из т. н. микроканальной пластины. При подключении канала к источнику высокого напряжения в нём создаётся электрич. поле, ускоряющее вторичные электроны, к-рые многократно соударяются с внутр. стенками канала, вызывая при каждом столкновении вторичную электронную эмиссию с поверхности активного слоя.



Энергетические схемы фотоэлектронной эмиссии из металла (а); полупроводника с х>2d e (б); полупроводника с поверхностью, обработанной до "отрицательного" электронного сродства (еф
Структурные схемы фотоэлектронных умножителей (ФЭУ) с линейными динодными системами: а - с корытообразными динодами; б - с жалюзийными динодами; Ф - световой поток; К - фотокатод; В - фокусирующие электроды катодной (входной) камеры; Э - диноды; А - анод; штрих-пунктирными линиями изображены траектории электронов.

Фотокатоды ФЭУ выполняют из полупроводников на основе соединений элементов I или III группы периодич. системы Менделеева с элементами V группы.
(Cs3 Sb, GaAs и др.). Полупрозрачные фотокатоды обычно наносят на внутр. поверхность входного окна стеклянного баллона ФЭУ. Для изготовления дискретных динодов используют след. материалы: Cs3Sb, наносимый в виде слоя на металлич. подложку; сплавы СuВе, CuAlMg; эпитаксиальные слои GaP на Мо, обработанные О2 (см. Эпитаксия) и др. Каналы непрерывных динодов изготавливают из стекла с высоким содержанием свинца (такие каналы после термообработки в Н2 имеют удельное сопротивление поверхностного слоя 107 - 1010 ом*м).

Осн. параметры ФЭУ: световая анодная чувствительность (отношение анодного фототока к вызывающему его световому потоку при номинальных потенциалах электродов), составляет 1- 104 а/лм; спектральная чувствительность (равная спектральной чувствительности фотокатода, умноженной на коэфф. усиления умножит. системы, лежащий обычно в пределах 103 - 108); темновой ток (ток в анодной цепи в отсутствие светового потока), как правило, не превышает 10-9- 10-10 а.

Наибольшее применение ФЭУ получили в ядерной физике (спектрометрич. ФЭУ; см. Сцинтилляционный счётчик) и в установках для изучения кратковременных процессов (временные ФЭУ). ФЭУ используют также в оптич. аппаратуре устройствах телевизионной и лазерной техники.

В 60-х гг. разработаны ФЭУ, в к-рых усиление фототока осуществляется бомбардировкой полупроводникового кристалла с электронно-дырочным переходом электронами с энергиями, достаточными для образования в кристалле парных зарядов электрон - дырка (такие ФЭУ наз. гибридными).

Лит.: Берковский А. Г., Гаванин В. А., 3айдель И. Н., Вакуумные фотоэлектронные приборы, М., 1976.

В. А. Гаванин.

ФОТОЭЛЕКТРОНЫ, электроны, эмитированные атомом, молекулой или конденсированной средой под действием квантов электромагнитного излучения - фотонов (см. Фотоэлектронная эмиссия), а также электроны в конденсированной среде, поглотившие фотоны и обладающие вследствие этого повышенной (относительно равновесной) энергией (см. Фотоэффект внутренний, Фотопроводимость).

ФОТОЭЛЕМЕНТ, электронный приб