БЭС:
Большой
Советский
Энциклопедический
Словарь

Термины:

ТУРБОХОД, судно, приводимое в движение паровой или газовой турбиной.
УБИЙСТВО, в уголовном праве преступление.
УЗБЕКСКИЙ ЯЗЫК, язык узбеков.
УПСАЛА (Uppsala), город в Швеции.
ФОРМООБРАЗОВАНИЕ, образование грамматич. форм слова.
ФОТОТАКСИС (от фото... и греч. taxis - расположение).
ФУРКАЦИЯ (от позднелат. furcatus-разделённый).
ЦЕЛАЯ ЧАСТЬ ЧИСЛА, см. Дробная и целая части числа.
"ТЕЛЕВИДЕНИЕ И РАДИОВЕЩАНИЕ", ежемесячный литературно-критич. и теоретич. иллюстрированный журнал.
ЭЙРИ ФУНКЦИИ, функции Ai(z) и Bi(z).


Фирмы: адреса, телефоны и уставные фонды - справочник предприятий оао в экономике.

Большая Советская Энциклопедия - энциклопедический словарь:А-Б В-Г Д-Ж З-К К-Л М-Н О-П Р-С Т-Х Ц-Я

8695912921652249431ала захватывается примесным центром, а затем попадает в валентную зону. В зависимости от структуры материала, степени его чистоты и темп-ры время жизни может меняться в пределах от долей сек до 10-8 сек.

Зависимость Ф. от частоты излучения определяется спектром поглощения полупроводника. По мере увеличения коэфф. поглощения Ф. сначала достигает максимума, а затем падает. Спад Ф. объясняется тем, что при большом коэфф. поглощения весь свет поглощается в поверхностном слое проводника, где очень велика скорость рекомбинации носителей (поверхностная рекомбинация, рис. 2).

Возможны и др. виды Ф., не связанные с изменением концентрации свободных носителей. Так, при поглощении свободными носителями длинноволнового электромагнитного излучения, не вызывающего межзонных переходов и ионизации примесных центров, происходит увеличение энергии ("разогрев") носителей, что приводит к изменению их подвижности и, следовательно, к увеличению электропроводности. Такая подвижноcтная

Ф. убывает при высоких частотах и перестаёт зависеть от частоты при низких частотах. Изменение подвижности под действием излучения может быть обусловлено не только увеличением энергии носителей, но и влиянием излучения на процессы рассеяния электронов кристаллич. решёткой.

Изучение Ф.- один из наиболее эффективных способов исследования свойств твёрдых тел. Явление Ф. используется для создания фоторезисторов, чувствительных и малоинерционных приёмников излучения в очень широком диапазоне длин волн - от y-лучей до диапазона сверхвысоких частот.

Лит.: Рывкин С. М., Фотоэлектрические явления в полупроводниках, М., 1963; Стильбанс Л. С., Физика полупроводников, М., 1967; см. также лит. при ст. Полупроводники. Э. М. Эпштейн.

ФОТОПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ, возникновение фотоэдс в однородном полупроводнике при одновременном одноосном сжатии и освещении.

ФОТО РЕАКТИВАЦИЯ, уменьшение повреждающего действия ультрафиолетового излучения на живые клетки при последующем воздействии на них ярким собственной фотопроводимости. Резкий спад в длинноволновой области отвечает т. н. краю поглощения - выключению собственного поглощения, когда энергия фотона становится меньше ширины запрещённой зоны; плавный спад в области малых длин волн обусловлен поглощением света у поверхности. видимым светом. Ф. открыта в 1948 И. Ф. Ковалёвым (СССР), А. Келнером и Р. Дульбекко (США) в результате опытов, проведённых на инфузориях парамециях, коловратках, конидиях грибов, бактериях и бактериофагах. В основе Ф. лежит ферментативное расщепление на мономеры пиримидиновых диме-ров, образующихся в ДНК под влиянием ультрафиолетового излучения. Ф. возникла в процессе эволюции как защитное приспособление от губительного действия УФ-компонента солнечного излучения и является одной из важнейших форм репарации живых организмов от повреждений их генетич. аппарата.

Лит.: Ковалёв И. Ф., Влияние видимого участка спектра лучистой энергии на динамику патологического процесса в клетке, повреждённой ультрафиолетовыми лучами, в кн.: Учёные записки Украинского экспериментального института глазных болезней, т. 1, Од., 1949; Восстановление клеток от повреждений, пер. с англ., М., 1963; Смит К. и Хэнеуолт Ф., Молекулярная фотобиология, пер. с англ., М., 1972.

ФОТОРЕГИСТРИРУЮЩАЯ УСТАНОВКА, фотохронограф, прибор для регистрации развития быстропротекающих процессов (взрыв, горение, детонация, электрич. разряд и т. п.) в нек-ром заданном направлении. О принципах действия наиболее употребительных типов Ф. у. см. Развёртка оптическая.

ФОТОРЕЗИСТ (от фото... и англ. resist - сопротивляться, препятствовать ), полимерный светочувствительный слой, нанесённый на поверхность полупроводниковой пластины с окисной плёнкой. Ф. используются в полупроводниковой электронике и микроэлектронике (см., напр., Планарная технология) для получения на пластине "окон" заданной конфигурации, открывающих доступ к ней травителя. В результате экспонирования Ф. через наложенный на него стеклянный шаблон нужного рисунка ультрафиолетовым излучением (иногда электронным лучом) свойства его меняются: либо растворимость Ф. резко уменьшается (негативный Ф.), либо он разрушается и становится легко удалимым (позитивный Ф.). Последующая обработка растворителем образует в Ф. "окна" на необлучённых участках негативного Ф. или облучённых участках позитивного Ф. Типичные Ф.: негативные - слои поливинилового спирта с солями хромовых кислот или эфирами коричной кислоты, слои циклизованного каучука с добавками, вызывающими "сшивание" макромолекул под действием света; позитивные - феноло- или крезолоформальдегидная смола с о-нафтохинондиазидом. См. также Фотолитография.

Лит.: Фотолитография и оптика, М.-Берлин, 1974; Мазель Е. 3., Пресс Ф. П., Планарная технология кремниевых приборов, М., 1974.
ФОТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ, то
же, что и фотопроводимость.
ФОТОРЕЗИСТОР, полупроводниковый прибор, характеризующийся свойством изменять своё электрич. сопротивление под действием оптич. излучения (см. Фотопроводимость). Через Ф., включённый я электрич. цепь, содержащую источник постоянного тока, протекает электрич. ток. При облучении Ф. ток увеличивается в результате появления фототока, к-рый пропорционален уровню воздействующего сигнала и не зависит от полярности приложенного к Ф. напряжения.

Появление фототока (или вызванного им изменения напряжения на Ф.) используется для регистрации излучений (см. Приёмники излучения, Приёмники света, Оптрон).

Для изготовления Ф. используют Se, Те, Ge (чистый либо легированный Аи, Си или Zn), Si, PbS, PbSe, PbTe, InSb, InAs, CdS, CdSe, HgCdTe. Характерная особенность этих полупроводниковых материалов - малая ширина запрещённой зоны (напр., у InSb она составляет 0,18 эв). Полупроводник наносят в виде тонкого слоя на стеклянную или кварцевую подложку либо вырезают в виде тонкой пластинки из монокристалла. Слой (пластинку) снабжают двумя контактами (электродами). Подложку с фоточувствительным слоем (или пластинку) и электроды помещают в защитный корпус.

Важнейшие параметры Ф.: интегральная чувствительность (определяемая как отношение изменения напряжения на единицу мощности падающего излучения при номинальном значении напряжения питания) составляет 103- 108 в/вт; порог чувствительности (величина минимального сигнала, регистрируемого Ф., отнесённая к единице полосы рабочих частот) достигает 10-12 вт/гц 1/2; постоянная времени (характеризующая инерционность Ф.) лежит в пределах 10-3-10-8 сек. Для повышения порога чувствительности и расширения рабочего диапазона длин волн принимаемого излучения фоточувствительный слой нек-рых Ф. подвергают охлаждению. Так, охлаждение Ф. из PbS до 78 К позволяет на порядок повысить пороговую чувствительность и расширить диапазон длин волн принимаемого излучения с 3,3 мкм до 5 мкм', глубоким охлаждением (до 4 К) Ф. из Ge, легированного Zn, доводят границу его спектральной чувствительности до 40 мкм.


Лит.: Марков М. Н., Приемники инфракрасного излучения, М., 1968; Аксененко М. Д., Красовский Е. А., Фоторезисторы, М., 1973.

И. Ф. Усольцев.
ФОТОРЕЦЕПТОРЫ (от фото... и рецепторы), световоспринимающие, светочувствительные образования, способные в ответ на поглощение квантов света молекулами содержащихся в них пигментов генерировать физиол. (нервный, рецеп-торный) сигнал. В широком смысле под Ф. понимают все светочувствит. образования от стигмы одноклеточных организмов и одиночных рассеянных по телу светочувствит. клеток (черви, ланцетник) до специализированных зрительных клеток глаза - сложного органа фоторецепции животных и человека. К Ф. относят также различные структуры - хлоропласты растений, пластиды водорослей, хроматофоры бактерий, содержащие пигменты и обеспечивающие фотобиол. процессы (фотосинтез, фототропизм, фототаксис, фотопериодизм и др.).

В сетчатке глаза позвоночных животных и человека Ф. являются высокодифференцированные зрительные клетки - палочковые клетки и колбочковые клетки; у беспозвоночных - т. н. ретикулярные клетки. Светочувствит. элемент этих клеток - фоторецепторная мембрана содержит поглощающий свет зрительный пигмент (родопсин) и фосфолипиды. В Ф. позвоночных фоторецепторные мембраны образуют т. н. наружные сегменты палочек и колбочек, в Ф.

беспозвоночных - многочисл. пальцеобразные выросты - микровиллы, плотно упакованную систему к-рых наз. рабдомером зрительной клетки. Наружный сегмент у позвоночных состоит из множества (до 15000 - у глубоководных рыб) дисков (или очень плоских мешочков) толщиной ок. 160 А и диам. от 1...2 до 6...8 мкм (в зависимости от вида животного); диски ориентированы строго перпендикулярно длинной оси клетки; в палочках они "плавают" в цитоплазме, т. к. оторваны от наружной клеточной мембраны, в большинстве же колбочек они сохраняют с ней связь. В палочках, но не в колбочках происходит постоянное обновление наружного сегмента за счёт образования новых и отмирания (фагоцитоза) "старых" верхушечных дисков. Вследствие строгой ориентации молекул зрительного пигмента в фоторецепторной мембране и особой (трубчатой) упаковки её в клетке многие беспозвоночные спос