| 8695912 9216 5224 943 1 м. По дну котловин течёт р. Иркут и её притоки. На равнинах межгорных котловин преобладают степные (обычно распаханные) и лесостепные ландшафты с лиственнично-берёзовыми перелесками и сосновыми борами; на более возвышенных участках на дерново-подзолистых почвах - парковые лиственничные леса. Посевы зерновых и молочное животноводство. Минеральные источники (см. Нилова Пустынь).
ТУНКИНСКИЕ ГОЛЬЦЫ, горный хребет Вост. Саяна на 3. Бурят. АССР. Дл. ок. 180 км, выс. до 3266 м. Сложен преим. кристаллич. сланцами и гранитами. Большая часть хр. Т. Г. представляет собой сильно расчленённые средневысотные горы; в пригребневой части - альпийский рельеф. На склонах до выс. 1800- 2000 м - лиственничная и кедрово-лиственничная горная тайга, выше - горнотундровая растительность.
ТУНМЭНХОЙ, Объединённый союз, Союзная лига, китайская революц. орг-ция, созданная Сунь Ят-сеном в 1905 в Японии на базе Синчжунхоя и др. антиманьчжурских орг-ций. В Т. входили представители средней и мелкой гор. буржуазии, кит. помещиков (выступавших против маньчжурского пр-ва), крестьянства. Программа Т., в основе к-рой лежали выработанные Сунь Ят-сеном принципы национализма, народовластия и нар. благосостояния, включала след. требования: "изгнать маньчжуров, восстановить суверенитет Китая, создать республику, осуществить уравнение прав на землю". Последнее требование трактовалось в духе утопич. идей амер. бурж. экономиста Г. Джорджа (фиксация цены на землю и передача дифференциальной ренты гос-ву). В программе, однако, отсутствовали чёткие и последовательные антифеод. требования, не выдвигалась задача борьбы с империализмом. Т. являлся первой общекит. бурж.-революц. партией. Его отделения были созданы в каждой провинции Китая, а также во мн. странах, где проживали кит. эмигранты. Т. издавал свой орган - журн. "Миньбар". С 1906 по 1911 Т. подготовил и провёл ряд вооруж. восстаний в Юж. и Центр. Китае. Т. являлся ведущей политич. силой Синъхайской революции, в результате к-рой была свергнута маньчжурская монархия и провозглашена республика. После Учанского восстания правые элементы Т. стали склоняться к компромиссу с лидером кит. контрреволюции Юань Ши-каем, отдав ему в конце концов власть. В февр. 1912, после отречения Цинской династии, Т. принял новую программу, в к-рой лозунг "уравнение прав за землю" был заменён абстрактным, расплывчатым требованием "проводить политику гос. социализма". Программа также предусматривала введение всеобщего образования, уравнение в политич. правах мужчин и женщин, требование равноправия Китая в области междунар. отношений. В авг. 1912 Т. объединился с неск. политич. орг-циями либеральной буржуазии, в результате чего возникла партия гоминьдан.
Лит.: Данилов В. И., "Объединенная революционная лига Китая" и ее роль в подготовке революции 1911 - 1912 гг., М., 1959; Ефимов Г. В., Буржуазная революция в Китае и Сунь Ят-сен. 1911 - 1913 гг., М., 1974. Е. А. Белов.
ТУННЕЛЬ, см. Тоннель.
ТУННЕЛЬНАЯ ЭМИССИЯ (автоэлектронная, холодная, электростатическая, полевая), испускание электронов твёрдыми и жидкими проводниками под действием внешнего электрич. поля Е высокой напряжённости (Е~107 в /см). Т. э. была обнаружена в 1897 Р. Вудом (США). В 1929 Р. Милликен и К. Лоритсен установили линейную зависимость логарифма плотности тока j Т. э. от обратной напряжённости электрич. поля: 1/Е. В 1928-29 Р. Фаулер и Л. Нордхейм дали теоретич. объяснение Т. э. на основе туннельного эффекта. Т. э.-результат туннельного "просачивания" электронов сквозь потенциальный барьер, существующий на границе проводник - вакуум (или др. среда). Сильное электрическое поле снижает этот барьер и делает его достаточно проницаемым (т. е. относительно тонким и невысоким). Распространённый термин "автоэлектронная эмиссия" отражает отсутствие энергетических затрат на возбуждение электронов, свойственных др. видам электронной эмиссии. В зарубежной литературе принят термин "полевая эмиссия" (field emission).
Плотность тока Т. э. j составляет часть плотности потока электронов п, падающих изнутри проводника на барьер, и определяется прозрачностью барьера D:
[17-3.jpg]
Здесь б - доля энергии электрона, связанная с компонентой его импульса, нормальной к поверхности проводника, Е - напряжённость электрич. поля у поверхности, е - заряд электрона. Из формулы (1) следует зависимость j от концентрации электронов в проводнике и их энергетич. спектра, а также от высоты и формы барьера, определяющих его прозрачность D. Наиболее полно изучена Т. э. металлов в вакуум. В этом случае величина j следует закону Фаулера - Нордхейма:
[17-4.jpg]
Здесь h - Планка постоянная, т - масса электрона,ф - потенциал работы выхода металла, t(y) и [17-5.jpg] - табулированные функции аргумента[17-6.jpg] Подставив значения констант и положив
[17-7.jpg]получим из формулы (2) приближённое соотношение:
[17-8.jpg]
(величины j, E и ф соответственно в а/см2, в/см и эв). Значения lg j для нек-рых Е и ф приведены в табл.
ф=20
ф=4,5
ф=6,3
Е*10-7
lg j
Е*10-7
lg j
Е*10-7
lg j
1,0
2,98
2,0
-3,33
2,0
-12,90
1,2
4,45
3,0
1,57
4,0
- 0,88
1,4
5,49
4,0
4,06
6,0
3,25
1,6
6,27
5,0
5,59
8,0
5,34
1,8
6,89
6,0
6,62
10,0
6,66
2,0
7,40
7,0
7,36
12,0
7,52
2,2
7,82
8,0
7,94
14,0
8,16
2,4
8,16
9,0
8,39
16,0
8,65
2,6
8,45
10,0
8,76
18,0
9,04
12,0
9,32
20,0
9,36
Формула (2) получена в предположениях, что темп-pa Т = О К и что вне металла в отсутствие поля на электроны действуют только силы зеркального изображения (см. Работа выхода). Форма потенциального барьера для этого случая показана на рис. 1.
[17-9.jpg]
Рис. 1. Потенциальная энергия и электрона вблизи поверхности металла (х-расстояние от поверхности); [17-10.jpg]-' в отсутствии электрического поля;[17-11.jpg] - в однородном внешнем электрическом поле;[17-12.jpg]-суммарная потенциальная энергия электрона; [17-13.jpg] - энергия Ферми металла;[17-14.jpg] - ширина потенциального барьера в присутствии поля.
Прозрачность барьера D может быть рассчитана по методу Венцеля - Крамерса - Бриллюэна. Несмотря на упрощения, теория Фаулера - Нордхейма хорошо согласуется с экспериментом.
На практике обычно измеряют зависимость тока I = jS (S - площадь эмитирующей поверхности) от напряжения V: [17-15.jpg] (а - т. н. полевой множитель). T. э. металлов характеризуется высокими предельными плотностями тока до величин j ~ 1010 а/см2, что объясняется теорией Фаулера - Нордхейма. Лишь при у~106-10-9 а/см2 имеют место отклонения от формулы (2), связанные с влиянием объёмного заряда или же с деталями формы потенциального барьера вблизи поверхности металла. Неограниченное повышение напряжения приводит при j ~ 108-1010 а/см2 к электрич. пробою вакуумного промежутка и гибели эмиттера, к-рому предшествует интенсивная кратковременная взрывная эмиссия электронов.
Т. э. слабо зависит от темп-ры. Малые отклонения от формулы (2) с ростом темп-ры Т пропорциональны Т2:
[17-16.jpg]
Формула (4) верна с точностью до 1% для приращений тока <= 18%. Для больших изменений тока применяют более громоздкие формулы и графики, рассчитанные на ЭВМ. С ростом темп-ры и понижением Е т. н. термоавто-электронная эмиссия смыкается с термоэлектронной эмиссией, усиленной полем (Шотки эффектом).
Энергетич. спектр электронов, вылетающих из металла при Т. э., узок (рис. 2).
[17-17.jpg]
Рис. 2. Энергетический спектр электронов, испускаемых при туннельной эмиссии для разных температур Т и электрических полей Е; ф = 4,5 эв.
Полуширина (сигма) распределения электронов по полным энергиям [17-18.jpg] (в эв) при Т=0 К определяется формулой:
[17-19.jpg]
При ф = 4,4эв а изменяется от 0,08 до 0,2 эв (для изменений j от 0 до 7). С повышением Т (сигма)т возрастает, в частности при 300 К (и тех же изменениях j) (сигма)т изменяется от 0,17 до 0,3 эв. Характер энергетич. распределения электронов отклоняется от теоретического в случае сложной конфигурации Ферми поверхности или при наличии на поверхности металла адсорбированных атомов (особенно неметаллических). Если на поверхности металла есть адсорбированные органич. молекулы (или их комплексы), то электроны проходя |
