БЭС:
Большой
Советский
Энциклопедический
Словарь
Термины:

ТУРБОХОД, судно, приводимое в движение паровой или газовой турбиной.
УБИЙСТВО, в уголовном праве преступление.
УЗБЕКСКИЙ ЯЗЫК, язык узбеков.
УПСАЛА (Uppsala), город в Швеции.
ФОРМООБРАЗОВАНИЕ, образование грамматич. форм слова.
ФОТОТАКСИС (от фото... и греч. taxis - расположение).
ФУРКАЦИЯ (от позднелат. furcatus-разделённый).
ЦЕЛАЯ ЧАСТЬ ЧИСЛА, см. Дробная и целая части числа.
"ТЕЛЕВИДЕНИЕ И РАДИОВЕЩАНИЕ", ежемесячный литературно-критич. и теоретич. иллюстрированный журнал.
ЭЙРИ ФУНКЦИИ, функции Ai(z) и Bi(z).

Главная страница
Поиск по сайту
Оглавление страниц
ЭЛЕКТРОННАЯ АВТОМАТИЧЕСКАЯ ТЕЛЕФОННАЯ СТАНЦИЯ (ЭАТС), телефонная станция, в к-рой коммутация линий и каналов, а также управление процессами коммутации осуществляются устройствами на электронных элементах (полупроводниковых приборах, интегральных схемах, ферритах и т. д.). Принципы построения коммутац. устройств ЭАТС определяются гл. обр. методами разделения каналов - пространств., частотного, временного разделения (коммутации)...
Фирмы: адреса, телефоны и уставные фонды - справочник предприятий оао в экономике.
Большая Советская Энциклопедия - энциклопедический словарь:А-Б В-Г Д-Ж З-К К-Л М-Н О-П Р-С Т-Х Ц-Я

8695912921652249431й охлаждающей способности термоэлемента, используемого для Т. о., является т. н. эффективность
[25J-76.jpg]
где а - термоэлектрич. коэффициент, X - удельная теплопроводность, р - удельное электрич. сопротивление. Обычно при изготовлении термоэлементов для Т, о. используют полупроводники (Z = 1,5-3,5 град-1), напр, тройные сплавы сурьмы, теллура, висмута и селена (см. Термоэлектрические явления). Установки с Т. о. просты по конструкции, не имеют движущихся частей и холодильных агентов, безопасны в эксплуатации, но малоэкономичны (удельный расход электроэнергии в 6-8 раз выше, чем у парокомпрессионных холодильных машин). Обычно Т. о. используется в установках с холодопроизводительностъю до 100 вт, к-рые находят практич. применение в радиоэлектронике, вакуумной технике, приборостроении, медицине и т. д. В. А. Гоголин.

ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ, Ричардсона эффект, испускание электронов нагретыми телами (твёрдыми, реже - жидкостями) в вакуум или в различные среды. Впервые исследована О. У. Ричардсоном в 1900-1901. Т. э. можно рассматривать как процесс испарения электронов в результате их теплового возбуждения. Для выхода за пределы тела (эмиттера) электронам нужно преодолеть потенциальный барьер у границы тела; при низких темпpax тела количество электронов, обладающих достаточной для этого энергией, мало; с увеличением темп-ры их число растёт и Т. э. возрастает (см. Твёрдое тело). Главной характеристикой тел по отношению к Т. э. является величина плотности термоэлектронного тока насыщения Уо (рис. 1) при заданной темп-ре. При Т. э. в вакуум однородных (по отношению к работе выхода) эмиттеров в отсутствии внешних электрич. полей величина jo определяется формулой Ричардсона -Д э ш м а н а:
[25J-77.jpg]

Здесь А - постоянная эмиттера (для металлов в модели свободных электронов Зоммерфелъда: А = АО = 4 л ek2m/h3 = = 120,4 а/К2см2, где е - заряд электрона, т - его масса, k - Больцмана постоянная, h - Планка постоянная), Т - темп-pa эмиттера в К, r - средний Для термоэлектронов разных энергий коэфф. отражения от потенциального барьера на границе эмиттера; еф - работа выхода. Испускаемые электроны имеют Максвелла распределение начальных скоростей, соответствующее темп-ре эмиттера.

При Т. э. в вакуум электроны образуют у поверхности эмиттера объёмный заряд, электрич. поле к-рого задерживает электроны с малыми начальными скоростями. Поэтому для получения тока насыщения между эмиттером (катодом) и коллектором электронов (анодом) создают электрич. поле, компенсирующее поле объёмного заряда. На рис. 1 показан вид вольтамперной характеристики вакуумного диода с термоэлектронным катодом. Плотность тока насыщения jo достигается при разности потенциалов Vo, величина к-рой определяется Ленгмюра формулой. При VVo связано с Шотки эффектом. Рис. 1 показывает, что термоэлектронный ток может протекать и в отсутствии внешних эдс. Это указывает на возможность создания вакуумных термоэлектронных преобразователей тепловой энергии в электрическую. Во внешних электрич. полях с напряжённостью Е ^ 10е- 107 в/см к Т. э. добавляется туннельная эмиссия и Т. э. переходит в термоавтоэлектронную эмиссию.

Величину ф для металлов и собственных полупроводников можно считать линейно зависящей от Т в узких интервалах температур Д Г вблизи выбранного

[25J-78.jpg]
где а температурный коэфф. ф в рассматриваемом интервале темп-р Д Т. В этом случае формула (1) может быть написана в виде:
[25J-79.jpg]

где Ар = А (1-r) ехр (-еа/fe) наз. р ичардсоновской постоянной эмиттера (однородного по отношению к работе выхода); ефр = ф (Т„)-- КТО! еф0 наз. ричардсоновской работой выхода. T. к. в интервале темп-р от Т = 0 до Т = Т0 a не сохраняет постоянной величины, то ричардсоновская работа выхода отличается от истинной работы выхода электронов при темп-ре Т=ОК. Величины Ар и ефр находят по прямолинейным графикам зависимости: ln (j0/T2)= f(1/T)= (графикам Ричардсона). У примесных полупроводников зависимость ф(Т) более сложная, и формула для ja отличается от (2).

Рис. 1. Зависимость плотности тока j термоэлектронного тока от разности потенциалов V, приложенной между эмиттером и коллектором электронов (вольтамперная характеристика).

Рис. 2. Плотность термоэлектронного тока насыщения при различных температурах и работах выхода еср, определяемых по полному току термоэлектронной эмиссии.

Чтобы исключить входящие в формулу (1) неизвестные для большинства эмиттеров величины Лиг, зависящие не только от материала эмиттера, но и от состояния его поверхности (определяются экспериментально), формулу приводят к виду:
[25J-80.jpg]

Работа выхода ефпт(Т) мало отличается по величине от истинной работы выхода эмиттера etf(T), но легко определяется по измеренным величинам j, и Т; её наз. работой выхода по полному току эмиссии. Величина ефП1 (Т) является единственной характеристикой термоэмиссионных свойств эмиттера, и её знания достаточно для нахождения ja (Т) (рис. 2).

Однородными по ф эмиттерами являются грани идеальных монокристаллов как чистые, так и покрытые однородными плёнками др. вещества. Большинство употребляемых в практике эмиттеров не однородны, а состоят из "пятен"с различными ф (эмиттеры поликристаллич. строения; со структурными дефектами; двухфазные плёночные и др.). Контактные разности потенциалов между пятнами приводят к появлению над эмиттирующей поверхностью контактных полей пятен. Эти поля создают дополнит, барьеры для эмиссии электронов с пятен, где работа выхода меньше, чем средняя по поверхности, и вызывают аномальный эффект Шотки. Для описания Т. э. неоднородных эмиттеров в формулу (1) вводят усреднённые эмиссионные характеристики.

Для получения токов больших плотностей, постоянных во времени, требуются эмиттеры с малыми ф и с большими теплотами испарения материала; в ряде случаев к термоэлектронным эмиттерам предъявляются спец. требования (химич. пассивность, коррозионная стойкость и др.). Высокой термоэмиссионной способностью обладают т. н. эффективные катоды (оксиднобариевые, оксидноториевые, гексабориды щелочноземельных и редкоземельных металлов и др.) и нек-рые металлоплёночные катоды (напр., тугоплавкие металлы с плёнкой щелочных, щёлочноземельных и редкоземельных металлов). Т. э. лежит в основе действия многих электровакуумных и газоразрядных приборов и устройств.

Лит.: Р е и м а н А. Л., Термоионная эмиссия, пер. с англ., М.- Л., 1940; Г апонов В. И., Электроника, т. 1, М., 1960; Добрецов Л. H., Г о м о ю н ов а М. В., Эмиссионная электроника, М. 1966; Кноль М., Эйхмейер И. Техническая электроника, пер. с нем., т. 1 М., 1971; X е р и н г К., H и к о л ь с М. Термоэлектронная эмиссия, пер. с англ., М. 1950; 3 а н д б е р г Э. Я., И он о в H. И. Поверхностная ионизация, М., 1969; Ф ом е н к о В. С.. Эмиссионные свойства материалов, К., 1970. Э. Я. Зандберг.

ТЕРМОЭЛЕКТРОННЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ (генератор) энергии, го же, что термоэмиссионный преобразователь энергии. Действие Т. п. как плазменного источника электрич. энергии основано на след, процессе: с катода (поверхность горячего металла с большой работой выхода) "испаряются" электроны, к-рые, пролетев межэлектродный промежуток, "конденсируются" на аноде (холодный металл с малой работой выхода); полезная работа во внеш. цепи совершается за счёт остатка потенциальной энергии электронов.

ТЕРМОЭЛЕМЕНТ, электрическая цепь (или часть цепи), составленная из разнородных проводников или полупроводников и позволяющая использовать в практич. целях одно из термоэлектрических явлений.

Если места контактов Т. поддерживать при различных темп-рах, то в цепи возникает эдс (термоэдс), а при замыкании цепи - электрич. ток. Это явление (Зеебека эффект) используется преим. для измерения темп-р (т. е. в термометрии) либо др. физ. величин, измерение к-рых может быть сведено к измерению темп-р: давления газа, скорости потока жидкости или газа, влажности, потока лучистой энергии (см. Приёмники излучения, Приёмники света), силы переменного тока пром. частоты (см. Термоэлектрический прибор), токов радиочастоты и др. (во всех этих случаях Т. служит тепловым измерительным преобразователем). Обычно Т., предназначенные для измерит, техники, наз. термопарами. Полупроводниковые Т., действующие на основе эффекта Зеебека, используются также для создания термоэлектрических генераторов, преобразующих тепловую энергию (сжигаемого топлива, радиоактивного распада или солнечной радиации) в электрическую.

Если через Т. пропускать ток от постороннего источника, то на одном из его контактов происходит поглощение, а на другом - выделение тепла. На этом явлении (Пелътье эффекте) основан принцип работы холодильников, кондиционеров и термостатов термоэлектрич. типа, к-рые находят применение в быту, радиоэлектронике, медицине, электротехнике и др. областях.

Лит.: Иоффе А. Ф., Полупроводниковые термоэлементы, М.- Л., 1956; Бурштейн А. И., Физические основы расчёта полупроводниковых термоэлектрических устройств, М., 1962; КоленкоЕ.А., Термоэлектрические охлаждающ